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NTMFS4744N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
5
4
Q GS
Q T
Q GD
1200
3
800
400
C oss
2
1
0
0
4
C rss
8
12
16
20
0
0
4
8
I D = 30 A
T J = 25 ° C
12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
t r
t f
10
V GS = 0 V
10
t d(off)
t d(on)
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
V DS = 15 V
I D = 30 A
V GS = 4.5 V
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 2.0 V
SINGLE PULSE
100 T C = 25 ° C
300
I D = 24 A
10
1
0.1
RDS(on) LIMIT
10 m s
100 m s
1 ms
10 m s
200
100
Package Limit
0.01
0.1
Thermal Limit
dc
1 10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
100
0
25
50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
175
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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